198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FP50R06W2E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A Заказать
FP50R06W2E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A Заказать
FP50R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V Заказать
FP50R07N2E4_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V Заказать
FP50R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM Заказать
FP50R12KS4C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM Заказать
FP50R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A Заказать
FP50R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A Заказать
FP50R12KT4G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V Заказать
FP50R12KT4G_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V Заказать
FP50R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FP50R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A Заказать
FP75R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
FP75R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V Заказать
FP75R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM Заказать
FP75R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A Заказать
FP75R12KT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM Заказать
FP75R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FP75R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FP75R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A Заказать
FP75R12KT4_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A Заказать
FP75R17N3E4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FPF2C8P2NL07A ON Semiconductor / Fairchild
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM F2 NPC 650V 50A Заказать
FPF2G120BF07AS ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться