198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FPF2G120BF07ASP ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module Заказать
FS100R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH Заказать
FS100R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V Заказать
FS100R07N2E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V Заказать
FS100R07PE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V Заказать
FS100R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE Заказать
FS100R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE Заказать
FS100R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 140A Заказать
FS100R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A Заказать
FS100R12KT4G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A Заказать
FS100R12KT4G_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A Заказать
FS100R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FS100R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FS100R12N2T4PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FS100R12PT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE Заказать
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS100R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145A Заказать
FS100R17N3E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS100R17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO Заказать
FS100R17N3E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS100R17PE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A Заказать
FS10R06VE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A Заказать
FS10R06VE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55V Заказать
FS10R06VL4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться