198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
VUB120-16NOX IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit Заказать
VUB120-16NOXT IXYS
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit Заказать
VUB145-16NOXT IXYS
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 Phase Rectifier Bridge w/ IGBT Заказать
VUB160-16NOX IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit Заказать