198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FP25R12KT4_B15 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V Заказать
FP25R12U1T4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V Заказать
FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7 Заказать
FP25R12W2T4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39A Заказать
FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
FP25R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A Заказать
FP30R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIM Заказать
FP30R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A Заказать
FP30R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V Заказать
FP30R06YE3_B4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30A Заказать
FP35R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
FP35R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
FP35R12KT4_B15 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A Заказать
FP35R12U1T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V Заказать
FP35R12W2T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
FP35R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE Заказать
FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE Заказать
FP35R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A Заказать
FP40R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM Заказать
FP40R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM Заказать
FP40R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A Заказать
FP40R12KT3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A Заказать
FP50R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться