198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/w/FRD Заказать
SGTB11N60R2DT4G ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 10A 600V DPAK Заказать
SGW20N60 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 20A Заказать
SGW25N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A Заказать
SGW30N60 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A Заказать
SKB02N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A Заказать
SKP02N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A Заказать
SKW25N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A Заказать
SKW30N60 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A Заказать
SP000913772 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
SP000919762 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
SP000925524 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
STGB10H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed Заказать
STGB10M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss Заказать
STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT Заказать
STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp Заказать
STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V Заказать
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET Заказать
STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT Заказать
STGB15H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed Заказать
STGB15M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss Заказать
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V Заказать
STGB19N40LZ STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться