198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок D2PAK-3
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия STGB19NC60HDT4
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel