198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
AFGB30T65SQDN ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Заказать
AFGB40T65SQDN ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT Заказать
AFGHL40T65SPD ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 40A 65 Заказать
AFGHL50T65SQDC ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD Заказать
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB30N65F5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB30N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB40N65F5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB40N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIGW40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIGW40N65H5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIGW50N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD06N60RATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD10N60RATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD10N60RFATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать