198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

AIGW50N65H5XKSA1

AIGW50N65H5XKSA1
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-247-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.66 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
  • Pd - рассеивание мощности 270 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия TRENCHSTOP 5 H5
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube