198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
NGTD23T120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A CJ52 FAST IGB Заказать
NGTD28T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A CK46 IGBT DIE SA Заказать
NGTD28T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A CK46 IGBT UNSAWN Заказать
NGTD30T120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A CJ57 FAST IGBT Заказать
NGTD30T120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A CJ57 FAST IGBT Заказать
NGTD5R65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC87 LOW VF RECT Заказать
NGTD5R65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC87 LOW VF RE Заказать
NGTD8R65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC14 FAST RECTIF Заказать
NGTD8R65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC14 FAST RECT Заказать
NGTD9R120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FAST Заказать
NGTD9R120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FAS Заказать
NGTG12N60TF1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF Заказать
NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A VERY FAST IGBT Заказать
NGTG15N60S1EG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT Заказать
NGTG20N60L2TF1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF Заказать
NGTG25N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT ONLY F Заказать
NGTG35N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T Заказать
NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII Заказать
NTLUS3A40PZTAG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL Заказать
NTLUS3A40PZTBG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH UDFN SING Заказать
NTLUS3A90PZTAG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO Заказать
NTLUS3A90PZTBG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO Заказать
NTTFSC4937NTAG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NFET U8FL 30V 50A 17 Заказать
RGC80TSX8RGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCTING IGBT Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться