198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
NGTB45N60SWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/45A IGBT FS1 TO-247 Заказать
NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A FAST IGBT FSII Заказать
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A LOW VCESAT FSII Заказать
NGTB50N60SWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A IGBT FS1 TO-247 Заказать
NGTB50N65FL2WAG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50 FAST IGBT FSII TO Заказать
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A FAST IGBT FSII T Заказать
NGTB60N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/60A FAST IGBT FSII Заказать
NGTB75N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A FAST FSII TO-247 Заказать
NGTD13R120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN34 FAST RECTI Заказать
NGTD13R120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN34 FAST REC Заказать
NGTD13T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 FAST IGBT D Заказать
NGTD13T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 FAST IGBT U Заказать
NGTD14T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 LOW VCESAT Заказать
NGTD14T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 LOW VCESAT Заказать
NGTD15R65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50A CC15 FAST RECTIF Заказать
NGTD15R65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50A CC15 FAST RECT Заказать
NGTD17R120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST RECTI Заказать
NGTD17R120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST REC Заказать
NGTD17T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC11 FAST IGBT U Заказать
NGTD20T120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGBT Заказать
NGTD20T120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGB Заказать
NGTD21T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CN86 FAST IGBT D Заказать
NGTD21T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CN86 FAST IGBT U Заказать
NGTD23T120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A CJ52 FAST IGBT Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться