198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FS450R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A IGBT4 Заказать
FS450R12OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V Заказать
FS450R12OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS450R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE Заказать
FS450R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A Заказать
FS450R17OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V Заказать
FS450R17OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS450R17OP4PBOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS500R17OE4D Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS500R17OE4DP Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS50R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A Заказать
FS50R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A Заказать
FS50R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V Заказать
FS50R06YE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A Заказать
FS50R06YL4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 55A Заказать
FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS50R07W1E3_B11A Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY Заказать
FS50R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE Заказать
FS50R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A Заказать
FS50R12KT4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS50R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A Заказать
FS50R12KT4_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A Заказать
FS50R12W2T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A Заказать
FS50R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться