198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FS300R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A 3-PHASE Заказать
FS300R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A Заказать
FS300R12OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS300R12OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS300R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASE Заказать
FS300R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300A Заказать
FS300R17OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS300R17OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS30R06VE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
FS30R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 45A Заказать
FS30R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V Заказать
FS30R06XE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A Заказать
FS30R06XL4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE Заказать
FS35R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A 3-PHASE Заказать
FS35R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A Заказать
FS35R12W1T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A Заказать
FS35R12W1T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V Заказать
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
FS3L50R07W2H3_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FS400R07A3E3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1 Заказать
FS400R07A3E3H6BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1 Заказать
FS400R12A2T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2 Заказать
FS450R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться