198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
6PS04512E43W39693 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
6PS18012E4FG35689 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
A1C15S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A1C15S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A1P25S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A1P25S12M3-F STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A1P35S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A1P35S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A1P50S65M2 STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC Заказать
A1P50S65M2-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC Заказать
A2C25S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A2C25S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A2C35S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC Заказать
A2C35S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC Заказать
A2C50S65M2 STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC Заказать
A2C50S65M2-F STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC Заказать
A2P75S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
A2P75S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
APT100GLQ65JU2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101 Заказать
APT100GLQ65JU3 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107 Заказать
APT100GN120J Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 Заказать
APT100GN120JDQ4 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 Заказать
APT100GT120JRDQ4 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227 Заказать
APT100GT120JU2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006 Заказать