APT100GT120JRDQ4
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 123 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 570 W
- Упаковка / блок ISOTOP-4
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
