198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
BSM35GP120G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM Заказать
BSM400GA120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE Заказать
BSM400GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE Заказать
BSM50GAL120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A CHOPPER Заказать
BSM50GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL Заказать
BSM50GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL Заказать
BSM50GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A DUAL Заказать
BSM50GD120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE Заказать
BSM50GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE Заказать
BSM50GD120DN2E3226 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A Заказать
BSM50GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM Заказать
BSM50GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM Заказать
BSM50GX120DN2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
BSM75GAL120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPER Заказать
BSM75GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL Заказать
BSM75GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL Заказать
BSM75GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DUAL Заказать
BSM75GD120DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 125A Заказать
BSM75GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE Заказать
BSM75GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A PIM Заказать
BYM300B170DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 300A Заказать
BYM600A170DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 600A F/DIODE Заказать
DD1000S33HE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHM-B Module 3300V 1000A Заказать
DD1200S12H4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200V Заказать