198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
BSM150GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL Заказать
BSM15GD120DLCE3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A Заказать
BSM15GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE Заказать
BSM15GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A Заказать
BSM15GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM Заказать
BSM15GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIM Заказать
BSM200GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE Заказать
BSM200GA170DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400A Заказать
BSM200GB120DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL Заказать
BSM200GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL Заказать
BSM200GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUAL Заказать
BSM200GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A 3-PHASE Заказать
BSM20GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM Заказать
BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE Заказать
BSM25GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A Заказать
BSM25GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM Заказать
BSM300GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE Заказать
BSM300GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL Заказать
BSM300GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DUAL Заказать
BSM30GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASE Заказать
BSM30GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIM Заказать
BSM35GD120DLCE3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A Заказать
BSM35GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A Заказать
BSM35GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM Заказать