198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

РЧ МОП-транзисторы

Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V Заказать
A2T21H140-24SR3 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V Заказать
A2T21H360-23NR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V Заказать
A2T23H200W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V Заказать
A2T27S007NT1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 400-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V Заказать
A2T27S020GNR1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V Заказать
A2V07H400-04NR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V Заказать
A2V07H525-04NR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V Заказать
A3G18H500-04SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V Заказать
A3G20S250-01SR3 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V Заказать
A3G22H400-04SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V Заказать
A3T18H360W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V Заказать
A3T18H455W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V Заказать
A3T19H455W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V Заказать
A3T21H400W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V Заказать
A3T21H450W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V Заказать
A3T21H455W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V Заказать
A3T21H456W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V Заказать
A3T23H300W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V Заказать
A3T23H450W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V Заказать
AFIC31025GNR1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V Заказать
AFIC31025NR1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V Заказать
AFT27S012NT1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V Заказать
AFT31150NR5 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы 150W 2700-3100MHz Заказать