A3G22H400-04SR3
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология GaN
- Id - непрерывный ток утечки 29.7 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 15.3 dB
- Выходная мощность 79 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-4
- Упаковка Reel
