198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

A3G20S250-01SR3

A3G20S250-01SR3
  • Производитель: NXP Semiconductors
  • Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Технология GaN Si
  • Id - непрерывный ток утечки 250 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 18.2 dB
  • Выходная мощность -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-400S-2
  • Упаковка Cut Tape, Reel