198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

A3T23H300W23SR6

A3T23H300W23SR6
  • Производитель: NXP Semiconductors
  • Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V
Запрос:
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 3.2 A
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток - 5 V, 65 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 15.6 dB
  • Выходная мощность 63 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок ACP-1230S-4L2S
  • Упаковка Cut Tape, Reel