| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказать |
|
STGB7H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | Заказать | |
|
STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Заказать | |
|
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | Заказать | |
|
STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode | Заказать | |
|
STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Заказать | |
|
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A | Заказать | |
|
STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | Заказать | |
|
STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | Заказать | |
|
STGD19N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ | Заказать | |
|
STGD20N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | Заказать | |
|
STGD20N45LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Заказать | |
|
STGD25N40LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Заказать | |
|
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM | Заказать | |
|
STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp | Заказать | |
|
STGD3NC120H-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBT | Заказать | |
|
STGD4M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Заказать | |
|
STGD5H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | Заказать | |
|
STGD5NB120SZ-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT | Заказать | |
|
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 Amp | Заказать | |
|
STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Заказать | |
|
STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | Заказать | |
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Заказать | |
|
STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp | Заказать | |
|
STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Заказать |
