198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
IXGT20N 60BD1 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds Заказать
IXGT24N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds Заказать
IXGT24N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds Заказать
IXGT24N60B IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600 V 1.7 V Rds Заказать
IXGT24N60C IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2.3 Rds Заказать
IXGT25N160 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds Заказать
IXGT30N120B3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V Заказать
IXGT30N120BD1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3.5 V Rds Заказать
IXGT32N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds Заказать
IXGT32N170-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT32N170 TRL Заказать
IXGT32N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds Заказать
IXGT32N90B2 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds Заказать
IXGT32N90B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds Заказать
IXGT35N120B IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds Заказать
IXGT40N120B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 V Rds Заказать
IXGT45N120 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 Rds Заказать
IXGT50N60C2 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 2.5 V Rds Заказать
IXGT50N90B2 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 900V 2.7 Rds Заказать
IXGT50N90B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 900V Заказать
IXGT60N60C3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V Заказать
IXGT64N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-MID FREQUENCY Заказать
IXGT64N60B3-TRL IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT64N60B3 TRL Заказать
IXGT6N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds Заказать
IXGT6N170-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT6N170 TRL Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться