198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
IGW25N120H3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW25N120H3XK Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW25T120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50A Заказать
IGW30N60H3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT Заказать
IGW30N60T Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A Заказать
IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin Заказать
IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5 Заказать
IGW40N120H3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW40N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W Заказать
IGW40N60TPXKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin Заказать
IGW40N65F5 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT Заказать
IGW40N65F5AXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW40N65H5 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT Заказать
IGW40N65H5AXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
IGW40T120 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A Заказать
IGW50N60H3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W Заказать
IGW50N60T Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A Заказать
IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A Заказать
IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin Заказать
IGW50N65F5 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT Заказать
IGW50N65F5AXKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться