198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RGC80TSX8RGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCTING IGBT Заказать
RGCL60TK60DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL60TK60GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL60TS60DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL60TS60GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL80TK60DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL80TK60GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL80TS60DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGCL80TS60GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGPR10BM40FHTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT Заказать
RGPR20NS43HRTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT Заказать
RGPR30BM40HRTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT Заказать
RGPR30NS40HRTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT Заказать
RGPZ10BM40FHTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT Заказать
RGS00TS65DHRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V Заказать
RGS00TS65HRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGB Заказать
RGS50TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGS50TSX2HRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGS60TS65DHRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGS60TS65HRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGS80TS65HRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGS80TSX2HRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH Заказать
RGT00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N Заказать