198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RGT16BM65DTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
RGT16NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT16NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGT16NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A IGBT Stop Trench Заказать
RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGT30NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 15A IGBT Stop Trench Заказать
RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT40NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT40NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGT40NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench Заказать
RGT40TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench Заказать
RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGT50TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench Заказать
RGT60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench Заказать
RGT80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench Заказать
RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench Заказать
RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGT8NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench Заказать
RGT8TM65DGC9 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT Заказать
RGTH00TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать