RGCL60TS60DGC11
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A
- Pd - рассеивание мощности 111 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
