198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FP10R06W1E3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A Заказать
FP10R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600V Заказать
FP10R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT Заказать
FP10R12W1T4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A Заказать
FP10R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
FP10R12W1T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A Заказать
FP10R12W1T4_B29 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP10R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A Заказать
FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP10R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP10R12W1T7PB3BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP10R12YT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A Заказать
FP10R12YT3_B4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A Заказать
FP150R07N3E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V Заказать
FP150R07N3E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V Заказать
FP150R12KT4 Infineon / IR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP150R12KT4P Infineon / IR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP150R12KT4P_B11 Infineon / IR Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP150R12KT4_B11 Infineon / IR Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FP15R06KL4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A EASY2 Заказать
FP15R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A Заказать
FP15R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600V Заказать
FP15R06YE3_B4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 15A Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться