198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FF450R06ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 550A Заказать
FF450R07ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 650V Заказать
FF450R12IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A Заказать
FF450R12KE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 520A Заказать
FF450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM Заказать
FF450R12KE4_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FF450R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A Заказать
FF450R12ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A Заказать
FF450R12ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 450A Заказать
FF450R12ME4EB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FF450R12ME4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FF450R12ME4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FF450R12ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V Заказать
FF450R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A Заказать
FF450R17ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605A Заказать
FF450R17ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A Заказать
FF450R17ME4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FF450R17ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V Заказать
FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability! Заказать
FF500R17KE4BOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM Заказать
FF50R12RT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A Заказать
FF600R06ME3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 600A Заказать
FF600R07ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 650V Заказать
FF600R12IE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться