198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FD150R12RT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A Заказать
FD1600/1200R17HP4_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1600A 1700V Заказать
FD200R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A CHOPPER Заказать
FD200R12PT4_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FD250R65KE3-K Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500V Заказать
FD300R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE Заказать
FD300R07PE4_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V Заказать
FD300R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A CHOPPER Заказать
FD300R12KS4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A Заказать
FD300R12KS4_B5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A Заказать
FD300R17KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FD400R07PE4R_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FD400R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A Заказать
FD400R12KE3_B5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module Заказать
FD400R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A CHOPPER Заказать
FD400R33KF2C-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 660A Заказать
FD450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FD500R65KE3-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
FD600R06ME3_S2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 600V Заказать
FD600R17KE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A Заказать
FD650R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A Заказать
FD800R17HP4-K_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700V Заказать
FD800R17KE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.2KA Заказать
FD800R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A CHOPPER Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться