198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
F3L200R07PE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V Заказать
F3L200R12W2H3_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY Заказать
F3L300R07PE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V Заказать
F3L300R12ME4_B22 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V Заказать
F3L300R12ME4_B23 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V Заказать
F3L300R12MT4_B22 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F3L300R12MT4_B23 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F3L300R12PT4_B26 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F3L400R07ME4_B22 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V Заказать
F3L400R07ME4_B23 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V Заказать
F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F3L400R12PT4_B26 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F3L50R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50A Заказать
F3L75R07W2E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 75A Заказать
F3L75R12W1H3_B27 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
F4-100R06KL4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK Заказать
F4-100R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 130A Заказать
F4-150R06KL4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 180A Заказать
F4-150R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 180A Заказать
F4-200R06KL4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 225A Заказать
F4-50R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A Заказать
F4-50R12KS4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V Заказать
F4-75R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться