198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RN1117MFV Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Заказать
RN1117MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm Заказать
RN1117MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms Заказать
RN1117MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm Заказать
RN1118(T5L,F,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1118MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm Заказать
RN1118MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms Заказать
RN1118MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm Заказать
RN1119MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Заказать
RN1119MFV,L37F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN1119MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm Заказать
RN1130MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms Заказать
RN1130MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1131MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms Заказать
RN1132MFV(TL3,T) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 200kohm Заказать
RN1132MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 200Kohms x 0ohms Заказать
RN1132MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 200kohm Заказать
RN1301(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms Заказать
RN1301,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz Заказать
RN1302,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz Заказать
RN1302SU,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 100mW Заказать
RN1302TE85LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms Заказать
RN1303(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms Заказать