198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RN1101(T5L,F,T) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1101,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built- in Transistor Заказать
RN1101MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms Заказать
RN1101MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms Заказать
RN1102,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1102MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms Заказать
RN1102MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1103,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built- in Transistor Заказать
RN1103MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms Заказать
RN1104,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG Заказать
RN1104MFV(TL3,T) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC Заказать
RN1104MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms Заказать
RN1104MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW TRANSISTOR Заказать
RN1105,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1105MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms Заказать
RN1105MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz Заказать
RN1106,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1106MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms Заказать
RN1106MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1107(T5L,F,T) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1107,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1107MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms Заказать
RN1108MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms Заказать
RN1109(T5L,F,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать