198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F
  • Производитель: Toshiba
  • Описание:Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
Запрос:
Технические характеристики
  • Конфигурация Single
  • Полярность транзистора NPN
  • Типичное входное сопротивление 4.7 kOhms
  • Типичный коэффициент деления резистора 0.1
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-723-3
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe80
  • Максимальная рабочая частота -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
  • Непрерывный коллекторный ток 100 mA
  • Пиковый постоянный ток коллектора -
  • Pd - рассеивание мощности 150 mW
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия RN1106MFV
  • Упаковка -