198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RN1105,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1105MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms Заказать
RN1105MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz Заказать
RN1106,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1106MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms Заказать
RN1106MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1107(T5L,F,T) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1107,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN1107MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms Заказать
RN1108MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms Заказать
RN1109(T5L,F,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO Заказать
RN1109,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN1109MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms Заказать
RN1110,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor Заказать
RN1110MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms Заказать
RN1110MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN1111(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A Заказать
RN1111,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SSM TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) Заказать
RN1111MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10Kohms Заказать
RN1111MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN1112MFV(TL3,T) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm Заказать
RN1112MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22Kohms Заказать
RN1113MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47Kohms Заказать
RN1113MFV,L37F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать