198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Флеш-память NAND

Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Серия
Размер памяти
Тип интерфейса
Организация
Тип синхронизации
Ширина шины данных
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
TH58NVG3S0HTA00 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG3S0HTAI0 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG4S0FBAID Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 32nm ITemp SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG4S0FTA20 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG4S0FTAK0 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 32nm ITemp SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG4S0HTA20 Toshiba Memory
Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG4S0HTAK0 Toshiba Memory
Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG5S0FTA20 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NVG5S0FTAK0 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NYG2S3HBAI4 Toshiba Memory Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NYG2S3HBAI6 Toshiba Memory Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NYG3S0HBAI4 Toshiba Memory Флеш-память NAND 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
TH58NYG3S0HBAI6 Toshiba Memory Флеш-память NAND 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Заказать
THGBMKG8N2LBAIL Toshiba Memory Флеш-память NAND 32GB NAND EEPROM Suprme+ Заказать
THGBMKG9N4LBAIR Toshiba Memory Флеш-память NAND 64GB NAND EEPROM Suprme+ Заказать
THGBMKT0N8LBAIR Toshiba Memory Флеш-память NAND 128GB NAND EEPROM Suprme+ Заказать