198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4
  • Производитель: Toshiba Memory
  • Описание:Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Запрос:
Технические характеристики
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TFBGA-63
  • Серия -
  • Размер памяти 4 Gbit
  • Тип интерфейса Parallel
  • Организация 512 M x 8
  • Тип синхронизации Synchronous
  • Ширина шины данных 8 bit
  • Напряжение питания - мин. 1.7 V
  • Напряжение питания - макс. 1.95 V
  • Напряжение питания - макс. 30 mA
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Упаковка Tray