РЧ МОП-транзисторы [1]

Id - непрерывный ток утечки

Усиление

Выходная мощность

Упаковка / блок

Фото	Партномер	Производитель	Datasheet	Описание	Заказать
	A2G22S190-01SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V	Заказать
	A2T08VD021NT1	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V	Заказать
	A2T18S166W12SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T18S262W12NR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T21H140-24SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T21H141W24SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T21H360-23NR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T21S161W12SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 38 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T23H200W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T27S007NT1	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 400-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V	Заказать
	A2T27S020GNR1	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V	Заказать
	A2T27S020NR1	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V	Заказать
	A2V07H400-04NR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V	Заказать
	A2V07H525-04NR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V	Заказать
	A3G18H500-04SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V	Заказать
	A3G20S250-01SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V	Заказать
	A3G22H400-04SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V	Заказать
	A3G35H100-04SR3	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V	Заказать
	A3T18H360W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V	Заказать
	A3T18H400W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V	Заказать
	A3T18H455W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V	Заказать
	A3T19H455W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V	Заказать
	A3T21H360W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V	Заказать
	A3T21H400W23SR6	NXP Semiconductors		РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V	Заказать

РЧ МОП-транзисторы

Продукция

Каталоги

Адрес