A3G35H100-04SR3
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 8.04 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 14 dB
- Выходная мощность 14 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-4L
- Упаковка Cut Tape, Reel
