198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

МОП-транзистор

Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Количество каналов
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
Vgs - напряжение затвор-исток
Qg - заряд затвора
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Конфигурация
Канальный режим
Квалификация
Коммерческое обозначение
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
GS-065-004-1-L GaN Systems
МОП-транзистор 650V, 3.5 A, E-Mode GaN, Engineer Samples Заказать
GS-065-008-1-L GaN Systems МОП-транзистор 650V, 8 A, E-Mode GaN, Engineer Samples Заказать
GS-065-011-1-L GaN Systems МОП-транзистор 650V, 11 A, E-Mode GaN, Engineer Samples Заказать
GS61004B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 100V 45A E-Mode GaN Заказать
GS61008P-E05-MR GaN Systems
МОП-транзистор 100V 80A E-Mode GaN Заказать
GS61008T-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 100V 90A E-Mode GaN Заказать
GS66502B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V Enhancement Mode Transistor Заказать
GS66504B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 15A E-Mode GaN Заказать
GS66506T-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 22A E-Mode GaN Заказать
GS66508B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 30A E-Mode GaN Заказать
GS66508P-E05-MR GaN Systems
МОП-транзистор 650V 30A E-Mode GaN Заказать
GS66508T-E02-MR GaN Systems
МОП-транзистор 650V 30A E-Mode GaN Заказать
GS66516B-E01-MR GaN Systems
МОП-транзистор 650V, 60A E-Mode GaN Заказать
GS66516T-E02-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 60A E-Mode GaN Заказать