198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

GS61004B-E01-MR

GS61004B-E01-MR
  • Производитель: GaN Systems
  • Описание:МОП-транзистор 100V 45A E-Mode GaN
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология GaN
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок GaNPX-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
  • Id - непрерывный ток утечки 45 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 15 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 7 V
  • Qg - заряд затвора 6.2 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel