198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
MKE38RK600DFELB-TRR IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) CoolMOS Power MOSFET Заказать
MMIX1X100N60B3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD Заказать
MMIX1X200N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device Заказать
MMIX1X200N60B3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device Заказать
MMIX4B20N300 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-BIMOSFET Заказать