198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
STGP20NC60V STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp Заказать
STGP20V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT Заказать
STGP20V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop Заказать
STGP30H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT Заказать
STGP30H60DFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Заказать
STGP30M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss Заказать
STGP30V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT Заказать
STGP30V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop Заказать
STGP35HF60W STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz Заказать
STGP3HF60HD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode Заказать
STGP3NC120HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar Заказать
STGP40V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT Заказать
STGP4M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A Заказать
STGP5H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed Заказать
STGP6M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
STGP6NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT Заказать
STGP7H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed Заказать
STGP7NC60HD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT Заказать
STGP8M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package Заказать
STGP8NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET Заказать
STGPL6NC60D STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel Заказать
STGPL6NC60DI STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT Заказать
STGW10M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
STGW15H120DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed Заказать