198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET Заказать
STGF10H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd Заказать
STGF10M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss Заказать
STGF10NB60SD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp Заказать
STGF10NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT Заказать
STGF14NC60KD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT Заказать
STGF15H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd Заказать
STGF15M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss Заказать
STGF19NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT Заказать
STGF19NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT Заказать
STGF20H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT Заказать
STGF20M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss Заказать
STGF20NB60S STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 13A-600V Заказать
STGF30M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss Заказать
STGF3NC120HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp Заказать
STGF4M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE Заказать
STGF5H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed Заказать
STGF6M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss Заказать
STGF6NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT Заказать
STGF7H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed Заказать
STGF7NB60SL STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT Заказать
STGF7NC60HD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp Заказать
STGF8NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET Заказать
STGFW20H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed Заказать