198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V Заказать
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V Заказать
RN1968(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) Заказать
RN1970(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) Заказать
RN1971TE85LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V Заказать
RN2101,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor Заказать
RN2101MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms Заказать
RN2101MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm Заказать
RN2102,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor Заказать
RN2102MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms Заказать
RN2103MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50V -100mA 22x22Kohms Заказать
RN2103MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN2104MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms Заказать
RN2105MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms Заказать
RN2105MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm Заказать
RN2106MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms Заказать
RN2107,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor Заказать
RN2107MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms Заказать
RN2107MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 10kohm Заказать
RN2108MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms Заказать
RN2108MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor Заказать
RN2109MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V Заказать
RN2109MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms Заказать
RN2109MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 47kohm Заказать