198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
TGF2956 Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm Заказать
TGF2957 Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm Заказать
TGF2965-SM Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V Заказать
TGF2977-SM Qorvo
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB Заказать
TGF2978-SM Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB Заказать
TGF2979-SM Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB Заказать
TGF3015-SM Qorvo
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN Заказать