198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

DRAM

Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
W987D6HBGX6I Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp Заказать
W987D6HBGX6I TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R Заказать
W987D6HBGX7E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm Заказать
W987D6HBGX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R Заказать
W988D2FBJX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz Заказать
W988D2FBJX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp Заказать
W988D2FBJX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R Заказать
W988D2FBJX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm Заказать
W988D6FBGX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz Заказать
W988D6FBGX6E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz T&R Заказать
W988D6FBGX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp Заказать
W988D6FBGX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R Заказать
W988D6FBGX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm Заказать
W988D6FBGX7E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R Заказать
W989D2DBJX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm Заказать
W989D2DBJX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm T&R Заказать
W989D6DBGX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm Заказать
W989D6DBGX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm Заказать