198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Каталог электронных компонентов

Производитель
Продукт
Тип
Vf - прямое напряжение
Vr - обратное напряжение
Vgs - напряжение затвор-исток
Вид монтажа
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
MWI75-12T7T IXYS Дискретные полупроводниковые модули 75 Amps 1200V Заказать
MWI75-12T8T IXYS Дискретные полупроводниковые модули 75 Amps 1200V Заказать
MWI80-12T6K IXYS Дискретные полупроводниковые модули 80 Amps 1200V Заказать
ND104N12K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 160A Заказать
ND104N16K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1600V 160A Заказать
ND104N18K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 1800V 160A Заказать
ND171N12K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 270A Заказать
ND171N14K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1400V 270A Заказать
ND171N16K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 270A Заказать
ND171N18K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 1800V 270A Заказать
ND175N34K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули Заказать
ND260N12K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1200V 410A Заказать
ND260N14K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1400V 410A Заказать
ND260N16K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1600V 410A Заказать
ND261N26K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 2600V 410A Заказать
ND89N16K Infineon Technologies
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 140A 20MM Заказать
PS-RDN20 Altech Дискретные полупроводниковые модули 21-28VDC 0-20A REDUNDANCY BUFFER Заказать
STE145N65M5 STMicroelectronics
Дискретные полупроводниковые модули N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP package Заказать
STE60N105DK5 STMicroelectronics Дискретные полупроводниковые модули N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in an ISOTOP package Заказать
STIB1060DM2T-L STMicroelectronics
Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 10 A, 0.20 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 Заказать
STIB1560DM2-L STMicroelectronics Дискретные полупроводниковые модули SDIP2B-26L Заказать
STIB1560DM2T-L STMicroelectronics Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 15 A, 0.150 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 Заказать
STT1400N16P55XPSA1 Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули THYR / DIODE MODULE DK Заказать
STT1900N16P55XPSA1 Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули THYR / DIODE MODULE DK Заказать
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться