198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BPV11F

BPV11F
Запрос:
Технические характеристики
  • Продукт Phototransistors
  • Упаковка / блок T-1 3/4
  • Вид монтажа Through Hole
  • Пиковая длина волны 930 nm
  • Рабочее напряжение питания 5 V
  • Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 50 mA
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 70 V
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 70 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 130 mV
  • Темновой ток 50 nA
  • Время нарастания -
  • Время спада -
  • Pd - рассеивание мощности 150 mW
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Серия -