Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок Pill
- Вид монтажа SMD/SMT
- Пиковая длина волны 890 nm
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 1.2 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 25 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
- Темновой ток -
- Время нарастания 15 us
- Время спада 15 us
- Pd - рассеивание мощности 50 mW
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия -
