Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок TO-18
- Вид монтажа Through Hole
- Пиковая длина волны 880 nm
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 50 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 260 mV
- Темновой ток 20 nA
- Время нарастания 18 us
- Время спада 18 us
- Pd - рассеивание мощности 220 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия -
